集成電(diàn)路的飛速發展，離不開(kāi)材料和(hé)系統集成技(jì)術(shù)的支撐。高(gāo)純金屬濺射靶材作(zuò)為(wèi)芯片制(zhì)造、封裝中物理(lǐ)氣相沉積（PVD）工藝所需關鍵材料，應用于各種功能薄膜的制(zhì)備。它的發展壯大(dà)不僅能很(hěn)大(dà)地帶動上(shàng)遊我國傳統有(yǒu)色金屬材料産業結構升級，更能促進下遊電(diàn)子制(zhì)造産業的技(jì)術(shù)進步和(hé)穩定快速發展。
　　
　　國內(nèi)高(gāo)純濺射靶材企業嶄露頭角
　　
　　在半導體(tǐ)襯底（基片）上(shàng)生(shēng)長各種具有(yǒu)重要功能的薄膜是集成電(diàn)路芯片生(shēng)産制(zhì)造中核心的工藝之一。基于物理(lǐ)氣相沉積（PVD）的濺射工藝具有(yǒu)薄膜純度高(gāo)、成膜質量好、沉積速度快、工藝穩定可(kě)靠等優點，廣泛應用于集成電(diàn)路生(shēng)産制(zhì)造中，具有(yǒu)不可(kě)替代性。濺射沉積薄膜的原材料就是靶材，靶材的化學純度、組織性能等直接決定了芯片中接觸層、介質層、互連層等薄膜的性能，從而影(yǐng)響電(diàn)子産品的性能和(hé)壽命。芯片對濺射靶材的要求非常高(gāo)，它要求靶材純度要達到5N（99.999%）以上(shàng)。